Novel possibilities in square-root domain circuit design

---

Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Dokuz Eylül Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2011

Tezin Dili: İngilizce

Öğrenci: SİNEM ÖLMEZ

Danışman: UĞUR ÇAM

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Karekök ortamı devreler, düsük gerilim/düsük güç altında genis dinamik alanasahip olma, yüksek frekanslarda çalısma, doğru akım kaynakları ile elektronikolarak ayarlanabilme özelliklerini sergileyen sıkıştırma-genişletme devrelerinin biralt kümesidir. Bu sözü edilen özelliklerinden dolayı, sıkıştırma-genişletme devreleriCMOS çok geniş çapta tümlestirme teknolojisi ile uyumludur. Aynı zamanda sayısaldevreler CMOS teknolojisi ile gerçekleştirildiğinden bu tip devreler büyük ilgigörmektedir.Bu tezde; karekök ortamında tasarlanmış birinci derece alçak geçiren, ikinciderece alçak geçiren, ikinci derece bant geçiren filtre ve osilatör devreleri sunulmuşolup, kayıpsız integral alıcı, birinci derece yüksek geçiren; ikinci derece yüksekgeçiren, tüm geçiren, bant süzen filtrenin düzenli, yüksek geçiren ve alçak geçirendurumları; Kerwin-Huelsman-Newcomb filtre; Tow-Thomas filtre; beşinci dereceButterworth alçak geçiren filtre ile dördün osilatör literatüre yenilik olarakönerilmiştir. Tüm karekök ortamı devreler durum-uzay sentez metodu kullanılaraktasarlanmıstır. Filterlerin kesim frekansları harici akım kaynakları ile, kalite faktörüise MOS transistörlerin boyutları değiştirilerek elektronik olarak ayarlanabilir. Aynızamanda, osilatörlerin osilasyon frekansı ve osilasyon koşulu harici akım kaynaklarıile değiştirilebilir. Tüm önerilen devreler, tek güç kaynağı ile MOS transistörler vetopraklanmış kapasitelerden oluşturulmuş olup harici doğrusal dahili doğrusalolmayan yapıya sahip olmalarından dolayı düşük THD değeri, düşük güç tüketimi,geniş dinamik çalışma alanı özelliklerine sahiptir.