Calculation of Barrier Height and Ideality Factor of Mo N Si Schottky Diode Produced Using Pulsed Laser Deposition PLD Technique
NanoNG14 - Nanoscience & Nanotechnology For Next Generation International Conference, Poster, Elazığ, TURKEY., Elazığ, Türkiye, 01 Ağustos 2014
- Yayın Türü: Bildiri
- Basıldığı Şehir: Elazığ
- Basıldığı Ülke: Türkiye
- Dokuz Eylül Üniversitesi Adresli: Evet